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      单晶材料VS多晶硅片性能对比

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      单晶材料VS多晶硅片性能对比

      发布日期:2016-10-31 00:00 来源:http://www.lutsk2019.com 点击:

              单晶材料与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面有显着差异。单晶和多晶的差别主要在于原材料的制备方面,单晶是直拉提升法,多晶是铸锭方法,后端制造工艺只有一些细微差别。


              从光电转换效率参数来看,单晶电池的各项参数先于多晶,详见表1。一般来讲目前工艺下国内单晶电池量产效率是19.55%左右,做得好的话可以达到19.8%-19.9%,取决于它是三栅线还是四栅线;多晶电池量产效率一般是18.12%左右。


              单晶制绒采用碱溶液腐蚀,腐蚀过程中产生硅酸盐和氢气副产物,通过应用制绒辅助液代替或部分代替异丙醇(IPA),可实现更低的BOD、COD污水排放,且单晶制绒体系对于设备硬件的要求很低,更容易实现环保和工艺控制。


              多晶采用酸溶液腐蚀,需要使用高浓度的硝酸和氢氟酸,主要副产物为氟硅酸和NOx,而Nox是一种很难彻底处理的大气污染物,考虑到这些因素,需要使用严格封闭的自动化设备。多晶制绒的设备购置和维护成本远高于单晶。


              单晶材料没有晶界,材料纯度高,内阻小,温度升幅较小;另一方面,多晶电池的光电转换效率较低,它将更多的光能转换为热能而非电能,也导致多晶的温度升高更明显。在高光强下,单晶工作温度比多晶低5~6℃左右,部分地区的多晶工作温度可以比单晶高出10℃以上,因而多晶的功率损失较大,单晶的功率损失较小。



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