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      硅单晶定向测量原理

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      硅单晶定向测量原理

      发布日期:2019-08-01 00:00 来源:http://www.lutsk2019.com 点击:

        晶体定向是由与晶粒的形状和晶格所确定的晶向有关的晶体的各几何方向间的联系来确定的。硅单晶定向测量的方法很多,但相比之下,光学方法更具有特点。它使用起来简单、定向准确、可靠,能够处理任何半导体应用中的定向测量问题。 

        用作定向测量的光学方法是以经NaoH或KOH腐蚀后的硅表面作为测量依据。<111定向硅表面~经滚沸的Na0H或KOH腐蚀,大量的平面就会暴攀脚。此时,用一束平行光照射腐蚀后的硅表面,并通过一组简易的透镜系统,就会在屏幕上出现一个特定的三脚星图像。图3表明了这种光学系统的基本原理。它被使用于光学定向测量的各种方法中。近似于三角形的平面边缘上的微小弯曲部分决定了星像的三只脚,而整个平面经透镜系统反射后形成星像中点,该中点可在校定后的屏幕上直接显示取向错误。

        以相同的方式:经NaoH或KOH腐蚀的定向硅面将会露出大量的棱锥形成坑。用一束光照射在硅表面上,反射成四脚星像。四棱锥底部的微小弯曲部分形成星像的四只脚,星像中点由四只脚给出。


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