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      硅单晶定向中晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题

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      硅单晶定向中晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题

      发布日期:2019-10-21 08:43 来源:http://www.lutsk2019.com 点击:

      硅晶片内的氧通过捕捉在装置生产过程中混入晶片内的污染原子(内在的吸气作用)而具有改良器件特性的作用。所以,应将晶体定径部分(crystal fixed diameter part)整个区域内硅单晶中的氧浓度限制在给定的范围内。

      混入硅单晶内的氧源自浸入熔融硅中的石英坩埚的表面。在此情况下,氧经由熔融硅混入晶体内。在传统CZ法中,发生过沿晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题。

      硅单晶定向据认为原因如下

      (1)在晶体生长期间由于坩埚内的熔体减少,石英坩埚与熔体的接触面积改变,

      (2)由于上拉期间炉周边环境引起的温度变化使氧从坩埚流出的量改变

      (3)由于熔体流动状态的变化使氧进入晶体的输送效率改变。

      但是,迄今仍尚未报道定量实验证明可支持上述三个原因,所以该三个原因对晶体浓度的贡献硅单晶定向仍不清楚。


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