好品质 
好材料 
好服务
好品质 好材料 好服务
丹东新东方晶体仪器有限公司
联系人：张经理
电 话：0415-6172363 13304155299
传 真：0415-6181014
邮 箱：xdf@ddxdf.com
网 址：www.lutsk2019.com
地 址：辽宁丹东环保产业园区A-050号
邮 编：118000
硅晶片内的氧通过捕捉在装置生产过程中混入晶片内的污染原子(内在的吸气作用)而具有改良器件特性的作用。所以，应将晶体定径部分(crystal fixed diameter part)整个区域内硅单晶中的氧浓度限制在给定的范围内。
混入硅单晶内的氧源自浸入熔融硅中的石英坩埚的表面。在此情况下，氧经由熔融硅混入晶体内。在传统CZ法中，发生过沿晶体上拉方向氧浓度不均匀的问题。
硅单晶定向据认为原因如下
(1)在晶体生长期间由于坩埚内的熔体减少，石英坩埚与熔体的接触面积改变，
(2)由于上拉期间炉周边环境引起的温度变化使氧从坩埚流出的量改变
(3)由于熔体流动状态的变化使氧进入晶体的输送效率改变。
但是，迄今仍尚未报道定量实验证明可支持上述三个原因，所以该三个原因对晶体浓度的贡献硅单晶定向仍不清楚。
