丹东新东方晶体仪器有限公司
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半导体晶体的内在质量、晶体缺陷、杂质浓度等直接关系到外延层和器件的质量及成品率。准确地显示出晶体缺陷、研究其形成机理和控制及消除技术对制备高质量晶体是非常重要的。
单晶定向主要研究了用化学腐蚀的方法显示蓝宝石单晶的位错缺陷的条件,为提高晶体质量提供基础数据。
采用不同的化学腐蚀方法进行实验,对比国内外晶体完整性方面的优劣。
NaOH的熔点是318.4℃,价格相对KOH便宜。选取NaOH对同一蓝宝石样片进行腐蚀研究。温度选取290-340℃,时间为10-40min,结果发现在320℃腐蚀30min时得到较清晰的腐蚀形貌。
单晶定向对不同晶向的蓝宝石单晶进行化学腐蚀,我们选择了(0001)和(1120)晶向的蓝宝石单晶,用熔融的KOH在290℃腐蚀15min,金相显微镜观察到的缺陷形貌。