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      蓝宝石晶体定向外界条件变化容易造成晶格排列错位

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      蓝宝石晶体定向外界条件变化容易造成晶格排列错位

      发布日期:2019-12-02 00:00 来源:http://www.lutsk2019.com 点击:

      蓝宝石晶体(0001)面和(1120)面的位错腐蚀坑呈现不同的形状是由晶体所属的点群和晶体结构所决定的。化学腐蚀剂的作用就是破坏晶体内部分子或原子间相互作用键,键合力较小的首先被破坏。而在晶体生长过程中位错也主要产生在相互键合较弱的分子或原子间。晶体生长时如果外界条件(如生长速度的波动、热振动、机械振动、结晶时固态-液态原子密度差异、结晶冷却应力产生的晶格滑移等)发生变化就容易造成晶格排列错位。

      晶体缺陷是处于能量较高的不稳定的非平衡状态。因此在化学试剂作用下,缺陷处晶格原子首先与化学试剂发生作用,释放出能量以达到平衡态,从而形成某种特定形状的腐蚀图像。腐蚀时间较短,反应不完全,较弱的化学键未被完全破坏,位错缺陷显示的不够清晰、准确;腐蚀时间过长,除缺陷外,完整的晶格也会受到化学试剂的浸蚀,因而使:缺陷的显示被掩盖或部分掩盖,影响观察效果。

      蓝宝石晶体结构如图所示,其中a为蓝宝石形貌晶胞示意图;b为(0001)面的腐蚀斑;c为(1120)或(1100)面的腐蚀斑。在(0001)面上相邻O2-原子间作用力较弱,易被腐蚀,如图中所示。在(1120)面上,图中菱形四边形上各离子间相互作用Z小,易被断开,因此呈现菱形的形状。


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