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丹东新东方晶体仪器有限公司
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从实验可知，用熔融KOH进行化学腐蚀比用NaOH腐蚀效果好，得到的腐蚀图像清晰、准确。且Z佳条件为熔融KOH在290℃腐蚀15min。同时对比实验发现国内外样片在晶体完整性方面差异不大。
影响晶体完整性的因素是很多的。一般说来，单晶材料晶体生长速率是各向异性的。
通常所说的单晶材料晶体生长速率指的是在单位时间晶面沿法线方向向外平行推移的距离，称为线性生长速率。晶体生长的驱动力来源于生长环境相的过饱和度或过冷度。人工生长单晶时，在保证晶体生长质量的前提下，总希望提高生长速率。由于微观生长速率的变化，往往导致晶体缺陷的产生。
为保证CZ法能稳定地生长晶体，热场设计必须要具有适当的纵向和径向温度梯度和适当的坩埚与晶体直径比例，即保证适当的过冷度条件。只要存在径向温度梯度和纵向温度梯度，熔体内就会出现热运动，造成固液界面处晶体存在着热应力，超过晶体材料的临界应力，在晶体中就会产生位错。
