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      • 硅单晶定向的单晶材料介绍

        硅单晶材料在我们的生活中处处可见,“硅”的身影和作用,晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化快的。晶体生长是发生在固-液(或晶-液)界面上。通常为保证晶体粒生长只需使固-液界面附近很小区域熔体处于过冷态,绝大部分熔体处于过热态(温度高于Te
        发布时间:2020-07-09   点击次数:134

      • 定向凝固法生长硅晶体时结晶成核的一种方法

        硅单晶和硅多晶铸锭是晶体硅太阳能电池常用的材料。通常,使用硅单晶材料制造的太阳能电池比使用硅多晶材料制造的太阳能电池具有更高的光电传换效率。当采用硅多晶制造太阳能电池时,硅多晶的结晶颗粒越大,则制造的太阳能电池效率越高。目前,采用定向凝固法
        发布时间:2020-07-03   点击次数:180

      • 单晶定向仪在目前晶体切割加工中的作用

        在X射线定向仪器设备自动化程度迅速提高的今天,国产单晶定向仪器虽算不上高精度自动化仪器,但它在实际工作中发挥很大的作用.在以往的应用中,人们只利用它的一种功能一测定已知晶面与某结晶面的偏差。这种测偏工作只能先用X射线单晶仪照劳厄相或定向生长
        发布时间:2020-06-28   点击次数:101

      • 基于碳化硅单晶定向的可以监测柔性电子器件

        软光刻和印刷技术的进展促进了可拉伸和可弯曲电子产品的开发方面巨大发展,相对传统硬质的平台提供了更多的新的令人兴奋的功能性。一系列的柔性应用已经从基础研究转变为商业化产品,包括可弯折显示器,用于跟踪生物数据的智能手表和可穿戴的紫外剂量计。尽管
        发布时间:2020-06-19   点击次数:190

      • 半导体单晶定向光学法的使用

        目前,半导体的单晶定向研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的
        发布时间:2020-06-12   点击次数:143

      • 单晶材料检测,项目、标准这里都有

        单晶材料分为天然晶体和人工晶体,随着技术的发展,目前天然晶体已经不能满足人们的需求,于是各种人工单晶材料就被相继开发出来。单晶材料被广泛用于电子工业、半导体工业、光学工业、机械加工业、钟表行业、超声及压电技术等领域。所以单晶材料检测在这些行
        发布时间:2020-06-05   点击次数:165

      • 单晶定向材料的优点和不足有哪些

        单晶定向材料其优点是:(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄,开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻,碳化硅功率器件的正向损耗小。(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。(3)碳化硅有高的热导率,因此碳化硅
        发布时间:2020-05-29   点击次数:179

      • 碳化硅定向材料有哪些特征

        碳化硅SiC是IV-IV族二元化合物半导体材料,也是元素周期表中V族元素中一种固态碳化物单晶材料。SiC由碳原子和硅原子组成,但其晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域常用的是4H-SiC和6H-SiC两种,SiC与其它半导体材料具有相
        发布时间:2020-05-18   点击次数:122

      • 单晶硅片行业近几年新增产能

        近2-3年,由于单晶Perc电池产业链成熟、技术指标不断超预期所带来的效率和性价比优势,带动电池片厂商纷纷升级和加码单晶Perc产能,包括对原有单晶电池产线的Perc化升级和新增单晶材料Perc电池产能。2017-2018年是原有单晶电池产
        发布时间:2020-05-11   点击次数:148

      • 2020年单晶硅片材料行业市占率预计能有多少

        晶硅光伏电池体系主要分为单晶和多晶。单晶通过旋转提拉的工艺将多晶硅料制成单晶硅棒(长晶工艺首先制成圆棒,再通过切方制成方棒),多晶通过铸锭工艺将多晶硅料制成多晶硅锭,硅棒/硅锭再通过切片工序分别制成单晶/多晶硅片。单晶材料由于内部原子排列有
        发布时间:2020-05-06   点击次数:264

      • 半导体碳化硅单晶激光定向

        目前,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石,闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异性的特点。在不同的晶轴方向,它们的物理性能,化学性能差别非常大。例如:晶面的法向生长
        发布时间:2020-04-29   点击次数:196

      • 小角晶界对单晶材料的影响有哪些

        在单晶材料硅晶体生长过程中,由于气相组分过饱和使晶坯边缘进行择优生长,从而产生了偏离籽晶方向的晶格失配区域,在晶格失配区域,不同晶向的晶粒之间形成晶界。晶界通常由扩展边缘和螺旋位错构成,并贯穿整个晶锭,这对器件结构是致命的。靠近晶体边缘的小
        发布时间:2020-04-20   点击次数:102

      • 硅单晶材料多型缺陷有什么影响

        提高硅晶体质量,就意味着必须降低晶体中得缺陷,正如单晶材料设备厂家所说,PVT法生长硅单晶需要控制的工艺参数较多,并且这些参数在生长过程中不断发生变化,所以对晶体中的缺陷控制比较困难。硅单晶的缺陷主要包括微管、多型、位错、层错和小角晶界等。
        发布时间:2020-04-16   点击次数:85

      • 碳化硅单晶的微管缺陷

        微管缺陷严重阻碍了多种SiC单晶定向器件的商业化,被称为SiC器件的“杀手型”缺陷。大多数关于微管缺陷形成机制的讨论都是基于微管与大伯格斯矢量超螺形位错相结合的Frank理论。生长过程中,沿超螺旋位错核心方向的高应变能密度会导致该处优先升华
        发布时间:2020-04-09   点击次数:549

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